МАХАЧКАЛА, 11 апреля — Зори Табасарана. Учёные Дагестанского государственного университета разработали технологию получения тонких плёнок оксида цинка (ZnO), в которых кристаллиты ориентированы строго перпендикулярно подложке, сообщили в пресс-службе вуза. Для области пьезоэлектроники это особенно важно: именно такая структура позволяет максимально эффективно преобразовывать механические колебания в электрический сигнал и обратно. Результаты опубликованы в международном журнале ThinSolidFilms. Авторы работы: Абубакар Исмаилов, Магомед Умаханов, Муртазали Рабаданов и Муртузали Рабаданов.
Оксид цинка — прозрачный, недорогой, нетоксичный полупроводник, устойчивый к радиации. Он используется в высокочастотных фильтрах, датчиках, системах 5G и 6G, микроэлектромеханических системах и фотонике. Однако десятилетиями существовала проблема: при росте плёнки на аморфной подложке кристаллиты ориентировались неидеально, что снижало эффективность устройств.
Исследователи ДГУ смогли выйти за предел, достигнув нулевой аксиальной разориентации кристаллитов — то есть идеальной вертикальной ориентации. При этом они установили, что решающую роль играет зарядка растущей поверхности кристалла электронами из магнетронной плазмы, а не только традиционные параметры (температура, давление, мощность разряда). Это открывает возможность проверки и развития подхода для других полупроводников со сходным строением.
Ректор ДГУ, профессор Муртазали Рабаданов подчеркнул: «Публикация в ThinSolidFilms — это признание мировым сообществом высокого уровня исследований в ДГУ. Мы гордимся, что фундаментальная наука на нашем физико-техническом факультете решает реальные технологические задачи. Это важный шаг в повышении конкурентоспособности отечественной пьезоэлектроники». Один из авторов, доцент кафедры физической электроники ДГУ Абубакар Исмаилов, отметил, что работа показывает: управление ориентацией кристаллитов может определяться более тонкими кристаллохимическими и плазменными факторами. Исследование выполнено в НИЛ физики тонких плёнок имени профессора Р.А. Рабаданова на физико-техническом факультете.
